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三星推出第二代 8LPU+ 工艺：性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%
三星 8 纳米工艺“再活一届”：性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%
AI 导读
三星晶圆代工部门扩展 8 纳米工艺，推出第二代 8LPU+ 平台，相较 8LPU 性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%。该平台采用“无 EUV”路线，继续使用现有 DUV 产线，主要面向边缘 AI、机器人和汽车芯片。三星将于 IEDM 2026 公开演讲该技术，其 AG1 eMRAM 位单元面积约 0.017 平方微米。
正文
IT之家 10 月 21 日消息，科技媒体 gurufocus 昨日（10 月 20 日）发布博文，报道称三星晶圆代工部门将扩展其 8 纳米工艺技术，推出第二代 8LPU+ 平台。
据三星提交给 IEDM 2026 的技术摘要，相较上一代 8LPU，新平台性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%，并通过 ULL-SRAM 与 cHVT 器件降低待机漏电。
三星计划太平洋标准时间 12 月 14 日下午 4:20~4:45（IT之家注：北京时间 12 月 15 日星期二上午 8:20 – 8:45）在 IEDM 2026 活动中公开演讲。
与最先进制程普遍依赖 EUV（极紫外）光刻不同，8LPU+ 明确采用“无 EUV”路线，继续利用现有 DUV（深紫外）产线。这有助于三星避免高昂的 EUV 设备投入，在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。
该平台主要面向边缘 AI、机器人和汽车芯片。三星称，8LPU+ 集成原生 3.3V 平面 I/O 器件，可额外减少约 10% 的 I/O 面积；其汽车级 1 级（AG1）eMRAM 位单元面积约为 0.017 平方微米，相当于每平方毫米约 20Mb 存储容量。
来源：IT之家 · ithome.com