MemSilicon完成首款1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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MemSilicon完成首款1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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2026年10月12日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。据2026年10月14日报道，该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。目前“泰山一号”已完成流片，正在推进验证。报道称其为国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片。IT之家同日报道引述公司说法称，这标志着1TnR高密度存储技术从实验室研究推进至Gb级芯片产品化落地的关键一步。
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最新进展10月14日 15:54
铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：28nm 工艺、1T4R 结构，密度 30Mb/mm²报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- IT之家铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：28nm 工艺、1T4R 结构，密度 30Mb/mm²
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成首代高密度大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片基于 28nm CMOS 工艺平台和 1T4R 存储结构，单芯片容量 1Gb，存储密度 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。公司称这标志着 1TnR 高密度存储技术从实验室研究推进至 Gb 级芯片产品化落地的关键一步。
- 量子位MemSilicon 完成国际首款 1T4R 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度达 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。目前芯片已完成流片，正在推进验证。
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