AI智能体发现两种室温磁性半导体候选材料

2026年10月6日，Hacker News 报道称，一个 AI 智能体团队通过密度泛函理论计算，发现两种室温 Luttinger 补偿磁性半导体候选材料。其一是全新设计的 YBaMnFeO₅，预测带隙 2.35 eV，空穴自旋窗口 1.0 eV、电子自旋窗口 1.4 eV；另一种是 1999 年就已合成的材料，计算预测其具备目标磁性。报道称室温热扰动仅约 26 meV，远小于自旋窗口，有望用于下一代计算机存储。来源同时说明，带隙与自旋分选均尚未被测量，这些预测针对的是完美干燥晶体；相关输入文件、原始输出、分析代码、一键校验脚本、独立复跑结果及已知注意事项已发布在 GitHub 公开仓库。下一步是重新制备 KV[Cr(CN)₆] 并直接测量其自旋分选。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。