泰坦未来发布12英寸多晶碳化硅衬底
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泰坦未来发布12英寸多晶碳化硅衬底
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AI 综述
2026年10月,湖南泰坦未来科技有限公司发布新闻稿,宣布推出国内首款12英寸多晶碳化硅(Poly-SiC)衬底,瞄准AI芯片与先进封装的散热瓶颈。据2026年10月29日IT之家报道,该产品沉积速度达每小时60微米,最低电阻率小于1毫欧·厘米,孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个,热导率达≥300W/(m·K)。报道称,该产品已通过台积电相关认证测试并向三星送样,同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目目前正处于样品验证向小批量试产过渡阶段,预计2027年后逐步规模化供货。
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最新进展10月29日 14:08
泰坦未来推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底,已通过台积电认证测试并向三星送样报道时间线
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10月29日
- IT之家泰坦未来推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底,已通过台积电认证测试并向三星送样
湖南泰坦未来科技推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅(Poly-SiC)衬底,瞄准 AI 芯片与先进封装散热瓶颈,已通过台积电相关认证测试并向三星送样。该衬底沉积速度达每小时 60 微米,最低电阻率小于 1 毫欧·厘米,孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个,热导率达 ≥300W/(m·K)。产品正处于样品验证向小批量试产过渡阶段,预计 2027 年后逐步规模化供货。
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