SK海力士公布3D FeNAND存内计算研究

2026年10月15日，IT之家报道称，SK海力士公布了3D FeNAND实现模拟存内计算（Analog Compute-in-Memory，A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。报道介绍，该技术利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据；A-CiM能直接在存储器执行乘积累加运算（MAC），从而减少数据搬运、提升处理速度和能效。报道称该技术瞄准AI计算。截至该报道，事件进展为研究成果公布并发表论文，尚无后续产品化或商用时间表等信息。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。