美光预计2028年推出vHBM与vEIM

2026年10月22日，IT之家报道称，美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年推出 vHBM 和 vEIM 两种新型 3DS 内存。报道称，vHBM 采用垂直堆叠方式，将 DRAM Die、Base Die 与 XPU 逻辑主芯片堆叠在一起，并可与标准 2.5D HBM 共存；vEIM 则瞄准端侧 AI 推理，初代目标为 2TB/s 带宽和低于 1pj/bit 的能效。美光计划以无凸块混合键合技术和集成散热方案实现这两款产品。目前报道仅涉及美光的预计时间与产品定位，尚未提及量产、客户或定价信息。

AI 根据报道生成 · 44 分钟前更新

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