美光预告G11 NAND闪存

2026年10月22日，IT之家报道美光预告G11 NAND闪存。该产品堆叠超过400层，采用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，I/O速率至高提升1.5倍，数据传输能耗减少25%以上。美光表示G11 NAND预计2027H2产能爬坡，报道并称其似乎跳过了G10世代。此外，美光还介绍了两种AI-class数据中心级NAND设计：基于SLC的GPU直连IOPS优化产品，以及类似HBF定义的带宽优化产品。目前该事件仅有这一篇主报道，尚无后续跟进报道。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。