三星开发zNAND-T与zNAND-I闪存

据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品。除此前已公布的 zNAND-O 外，还包括 zNAND-T 与 zNAND-I，共三种型号。其中 zNAND-T 的“T”代表吞吐量，概念类似闪迪和 SK 海力士的 HBF，采用 TSV 堆叠 NAND Die 以优化读写带宽；zNAND-I 的“I”指 IOPS，强调少量数据的频繁读写，KV Cache 卸载即属此类场景。目前报道仅披露三星正在开发这两款产品及其定位，未提及具体发布时间、规格参数或量产计划。

AI 根据报道生成 · 1 小时前更新

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